Na fabricação de semicondutores, filmes finos de alumínio são normalmente depositados nas superfícies dos chips usando a tecnologia de pulverização catódica (sputtering) de metal. A pulverização catódica é um processo físico de deposição de vapor (PVD), que atinge um alvo metálico usando a ionização e a aceleração de gases inertes, como **argônio (Ar)**, fazendo com que os átomos do alvo se espalhem e se depositem na superfície do wafer a ser processado.
1. Princípio básico da pulverização catódica
O núcleo do processo de pulverização catódica é o uso de íons de argônio (Ar +) acelerados em alta tensão, atingindo a superfície do alvo de alumínio. Quando os íons de argônio atingem o alvo de alumínio, os átomos de alumínio são retirados da superfície do alvo e pulverizados na superfície do wafer. A espessura, uniformidade e qualidade do filme de alumínio podem ser controladas ajustando parâmetros como a vazão do gás, a tensão do alvo e o tempo de deposição.
2. Vantagens do processo de pulverização catódica
Alta precisão: A tecnologia de pulverização catódica pode controlar com precisão a espessura e a taxa de deposição de filmes de alumínio, o que é adequado para a fabricação de semicondutores finos.
Deposição em baixa temperatura: O processo de pulverização catódica tem uma temperatura de deposição mais baixa em comparação com a deposição química de vapor (CVD) e, portanto, evita danos ao material por alta temperatura, tornando-o particularmente adequado para processos sensíveis à temperatura.
Boa qualidade do filme: Ao otimizar as condições de pulverização catódica, o filme de alumínio pode ter boa adesão e planicidade para processamento posterior.